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    MOSFET IGBT SiC
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    产品信息 Product Information
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    • IGBT系列

    新硅能IGBT芯片采用先进的器件结构和工艺制程，以实现更低的导通压降与更小的开关损耗，提升器件短路能力。涵盖600V~1700V电压，可以在满足电源系统高频化的同时，实现更高的效率，适合应用于光伏储能逆变、充电桩、汽车电机驱动、白色家电等领域。

    产品列表
    Part Number Package V(BR)CES (V) V CE(SAT)(V)@25℃ IC (A) VGE (V) Vth (V) VF (V) Automotive Status
    typ max min max
    SMG065N40E1 TO-247 700 1.6 1.85 40 30 4 6 1.7 N Production
    SMG065N80E1 TO-247 700 1.6 1.85 80 30 4.5 6.5 1.72 N Production
    SMG120N40E1 TO-247 1250 1.8 2 80 30 4.5 6 2.3 N Production
    SMG120N60E1 TO-247 1250 1.7 2 60 30 4.5 6.5 2.44 N Production
    SMG120N80E1 TO-247 1200 1.7 1.95 80 30 4.5 6 2.2 N Developing
    SMG120N50E1 TO-247 1250 1.9 2.1 50 30 4.5 6 2.4 N Production
    SMG065N64E1 TO-247 700 1.9 2.2 60 30 4 6 1.85 N Production
    SMG065N54E1 TO-247 700 1.75 1.9 50 30 4 6 1.77 N Production
    SMG120NA0EF TO-247Plus-4L 1250 1.75 2.2 100 30 4.5 6.5 2.3 N Production
    SMG120NA0EFE TO-247Plus-4L 1250 1.77 2.2 100 30 4.5 6.5 2.4 N Production
    SMG065NA8E1 TO-247 700 1.8 2.1 100 30 4.5 6.5 1.8 N Production
    SMG065N50E1C TO-247 700 1.8 2.1 50 30 4.5 6 1.58 N Production
    SMG065N80EP TO-247Plus-3L 700 1.58 1.85 80 30 4.5 6.5 1.7 N Production
    SMG120N40E1DA TO-247 1250 1.75 2 40 30 4.5 6.5 2.3 N Production
    SMG120N40EP TO-247Plus-3L 1250 1.76 2 40 30 4.5 6 2.5 N Production
    SMG120N60EP TO-247Plus-3L 1250 1.69 2 60 30 4.5 6.5 2.3 N Production
    SMG120N80EPD TO-247Plus-3L 1250 1.75 2.1 80 30 4.5 6.5 2.15 N Production